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Monte Carlo模擬方法需做以下處理

    (1)雖然沉積粒子所釋放的動(dòng)能和結(jié)合能將導(dǎo)致沉積原子附近局部溫度升高,但整個(gè)基體的溫升是極其微小的,因此可認(rèn)為薄膜生長是等溫生長過程。
    (2)當(dāng)人射粒子在基體表面上的能量足夠大時(shí),該粒子不但可以在膜層表面進(jìn)行遷移運(yùn)動(dòng),甚至可以在垂直方向進(jìn)行運(yùn)動(dòng),若其下層有空位,還可以穿越到下層填補(bǔ)空位。
    (3)在實(shí)際過程中,單個(gè)粒子的再蒸發(fā)率較高,而一旦1個(gè)粒子與其他粒子相遇并結(jié)合成團(tuán)后,其再蒸發(fā)概率將大為降低,因此可以近似地認(rèn)為,只有單個(gè)粒子可以被再蒸發(fā)到基體外部,而多個(gè)粒子被再蒸發(fā)和分解的可能性很小。
    (4)粒子在基體表面上的運(yùn)動(dòng)分為3種情況:①吸附:粒子被吸附在基體表面。②擴(kuò)散:粒子在基體表面上遷移,其遷移方向應(yīng)使系統(tǒng)整體能量降低。擴(kuò)散包括單個(gè)粒子自由擴(kuò)散和沿簇團(tuán)邊緣擴(kuò)散。③蒸發(fā):粒子在特定的條件下脫離基體表面。